cathodoluminescence, webinar, 阴极发光, 阴极发光成像条件 • 1 阅读分钟数

利用阴极发光成像技术研究紫外发光二极管(UV LED)新型半导体材料

阴极发光通常用于探测半导体发光二极管(LED)材料的光发射特性。

 近年来,LED在各种行业中的应用越来越广泛,例如:显示器、环境和汽车照明、遥控器、光学开关等。LED中最重要的部件之一是发光的半导体芯片。

蓝光或可见光发光二极管(blue/visible LED)通常由氮化镓(GaN)和氮化铟镓(InGaN)制成, 而红外发光二极管(IR LED)则由砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)制成。 因此,对这些半导体材料的仔细研究对LED产品的开发和质量管理等至关重要。虽然可见光LED更常用于照明和显示器等应用,但目前研究人员和公司也在尝试将LED技术推向紫外线(UV)光谱范围,通常分为三种:短波紫外线(UVC,又称深紫外,波长100 - 280 nm),中波红斑效应紫外线(UVB,波长280 - 315 nm)和长波紫外线(UVA,波长315 - 400 nm)。

其实,紫外发光二极管(UV LED)的应用范围也很广。例如,UVB LED可用于皮肤治疗、日光浴和植物照明,而深紫外LED已被证明可用于杀死或灭活病原体,用于实验室设备、空气、水和食品的消毒。这种LED系统可以成为中低压汞基紫外灯的一种更灵活、更紧凑、更可持续的替代品。 为了开发和生产更高效的紫外 LED,显微镜在相关研究中的应用是非常重要的,而阴极发光成像技术已被证明是研究此类紫外 LED设备中使用的氮化铝镓(AlGaN)和氮化镓材料的理想技术。

 在与CrayoNano公司的合作中,我们创建了一份应用说明,描述了阴极发光高光谱成像如何用于研究基于纳米棒的氮化铝镓 LED器件。如果您想了解更多信息并获取阴极发光的数据,请在下方下载阅读这份应用说明:阴极发光探测在新型紫外LED技术发展中的应用

https://request.delmic.com/hubfs/Website/Landing%20and%20Thank%20you%20Pages%20Thumbnails/DELMIC_UVC_LEDS_APPLICATIONNOTE_BLOGBANNER.png
应用说明

阅读最新应用说明:阴极发光探测在新型紫外LED技术发展中的应用

下载

Delmic