蓝光或可见光发光二极管（blue/visible LED）通常由氮化镓（GaN）和氮化铟镓（InGaN）制成, 而红外发光二极管（IR LED）则由砷化镓（GaAs）或磷化铟(InP)制成。 因此，对这些半导体材料的仔细研究对LED产品的开发和质量管理等至关重要。虽然可见光LED更常用于照明和显示器等应用，但目前研究人员和公司也在尝试将LED技术推向紫外线（UV）光谱范围，通常分为三种：短波紫外线（UVC，又称深紫外，波长100 - 280 nm），中波红斑效应紫外线（UVB，波长280 - 315 nm）和长波紫外线（UVA，波长315 - 400 nm）。

其实，紫外发光二极管（UV LED）的应用范围也很广。例如，UVB LED可用于皮肤治疗、日光浴和植物照明，而深紫外LED已被证明可用于杀死或灭活病原体，用于实验室设备、空气、水和食品的消毒。这种LED系统可以成为中低压汞基紫外灯的一种更灵活、更紧凑、更可持续的替代品。 为了开发和生产更高效的紫外 LED，显微镜在相关研究中的应用是非常重要的，而阴极发光成像技术已被证明是研究此类紫外 LED设备中使用的氮化铝镓（AlGaN）和氮化镓材料的理想技术。

 在与CrayoNano公司的合作中，我们创建了一份应用说明，描述了阴极发光高光谱成像如何用于研究基于纳米棒的氮化铝镓 LED器件。如果您想了解更多信息并获取阴极发光的数据，请在下方下载阅读这份应用说明：阴极发光探测在新型紫外LED技术发展中的应用。