cathodoluminescence, 阴极发光, 阴极发光与纳米光学 • 1 min reading time

热点报告| 首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(中科院半导体研究所、仪器信息网联合主办)

Delmic将在由中国科学院半导体研究所、仪器信息网联合主办的首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议中作有关“阴极发光最新技术在半导体领域中应用”的报告!本月15日下午2点,我们期待与您的面对面交流!

中国科学院半导体研究所、仪器信息网拟于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”,聚焦半导体材料与器件的产业热点方向,组织2天的专业学术交流,为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台。

 

Delmic十分激动能够参与到此次大会中,并由我们的应用专家Sangeetha Hari博士作关于“阴极发光最新技术在半导体领域应用”的一篇报告。此次报告为提前录制并配有中文字幕,在报告结束后Sangeetha与我们的中国区销售顾问窦媛瑞将就报告内容回答大家的提问。期待您的参与!

报告摘要

阴极发光(Cathodoluminescence)是一种多功能技术,用于研究具有深层亚波长分辨率的光学特性。阴极发光光谱是一个强大的成像工具,用于探究和了解半导体的许多有趣关键属性,无论是块体还是微/纳米结构的形式。在本篇报告中,Sangeetha 将介绍用于在扫描电子显微镜中进行阴极发光成像的硬件和成像方法,涵盖快速强度映射,高光谱成像和时间分辨阴极发光成像技术,并讨论其在半导体领域的最新应用成果。

立即报名参与此次大会并占位我们的报告,与Sangeetha博士面对面交流!

报告嘉宾个人简介

Sangeetha Hari于2005年获得印度德里大学物理学理学士(荣誉)学位,2007年获得物理学硕士学位。随后,她在印度孟买的塔塔基础研究所担任原子和分子物理学研究学者,开发用于研究电子-分子碰撞的飞行时间光谱系统。随后,她加入荷兰代尔夫特理工大学应用科学系,从事扫描电子显微镜(SEM)中30纳米以下光刻的新技术研究,并于2017年获得博士学位。她开发了从高分辨率SEM图像中提取定量信息的成像技术,使用二次成像和反向散射电子成像的组合。在此期间,她与鹿特丹伊拉斯姆斯Erasmus MC合作开展了一个跨学科研究项目,为光学超分辨显微镜开发校准标准。Sangeetha现任Delmic担任应用专家,致力于以SPARC系统为核心的阴极发光研究,以及基于SECOM系统的光电关联显微镜成像。

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