阴极发光（CL）是材料在电子的激发下发出的光。在不同的材料中，导致CL发射的过程都不同，因此阴极发光成像是研究这些过程的一种强大技术。在扫描电子显微镜（SEM）中进行的CL成像是一种用途广泛的技术，用于研究具有深亚波长分辨率的光学特性。除了强度测绘，先进的成像模式，如光谱学、角度分辨成像和偏振测量等，都被用来了解各种材料的物理特性和研究器件性能。
在这次网络研讨会上，我们的应用专家Sangeetha Hari将重点介绍用于表征LED和单光子设备的CL成像。她将展示应用实例所获得的定量可比数据，以及CL对LED进行从深紫外到红外的表征结果。参加网络研讨会，了解如何使用CL成像技术对LED和单光子器件的局部缺陷和光发射特性进行成像。
时间：11月24日，晚12点（北京时间）
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